BD13516STU

onsemi
512-BD13516STU
BD13516STU

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT NPN Epitaxial Sil

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onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-126-3
NPN
Single
1.5 A
45 V
45 V
5 V
500 mV
12.5 W
+ 150 C
BD135
Tube
Marke: onsemi
Kollektorgleichstrom: 1.5 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 40
DC Stromverstärkung hFE max.: 250
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 1920
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: BD13516STU_NL
Gewicht pro Stück: 761 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
China
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