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FCB070N65S3

Name: onsemi FCB070N65S3
Brand: onsemi
SKU: 512-FCB070N65S3
Price: 5.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FCB070N65S3

Herst.- Nr.:

FCB070N65S3

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm

Datenblatt:

FCB070N65S3 Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 5.70	CHF 5.70
	CHF 4.08	CHF 40.80
	CHF 3.14	CHF 314.00
	CHF 3.13	CHF 1'565.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	CHF 2.93	CHF 2'344.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	44 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	78 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	312 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperFET III
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	16 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	29 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	52 ns
Serie:	FCB070N65S3
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	89 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

FCB070N65S3 Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Lösungen für die Energieinfrastruktur

Die Energieinfrastrukturlösungen von onsemi adressieren die Landschaft für Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung, die sich schnell entwickelt, um die von der Regierungspolitik gesetzten Ziele zu erfüllen und den Verbrauch zu erhöhen. Erhöhte Effizienzziele, Reduzierung der CO2-Emissionen und der Fokus auf erneuerbare und saubere Energie sind Schlüsselfaktoren für diese Entwicklung der Energieinfrastruktur. onsemi bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Lösungen für die anspruchsvollen Anforderungen von Hochleistungsapplikationen, einschließlich Siliziumkarbid-Dioden (SiC), intelligenten Leistungsmodulen und Strommessverstärkern.

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET^®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.