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FCPF400N80Z

Name: onsemi FCPF400N80Z
Brand: onsemi
SKU: 512-FCPF400N80Z
Price: 4.02 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FCPF400N80Z

Herst.- Nr.:

FCPF400N80Z

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET

Datenblatt:

FCPF400N80Z Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	11 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	400 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	56 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	35.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperFET II
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	34 ns
Serie:	FCPF400N80Z
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	112 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	50 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

FCPF400N80Z Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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