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FDMC8015L

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMC8015L

Herst.- Nr.:

FDMC8015L

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

FDMC8015L Datenblatt

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-33-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	26 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	19 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	24 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDMC8015L
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	180 mg

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Datenblatt

FDMC8015L Datenblatt

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-7-1 (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi / Fairchild PowerTrench^® MOSFETs bieten ein umfangreiches Portfolio von MOSFETs in der Branche. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und p-Kanal-Versionen, die für eine niedrige R_DS(ON)-Schaltleistung und Unempfindlichkeit optimiert sind. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Primärschalter, mobile Rechner, DC/DC-Wandler und Synchrongleichrichter.

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
View the entire Power Trench® MOSFETs offering

FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.