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FFSD2065B

Name: onsemi FFSD2065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD2065B
Price: 4.39 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FFSD2065B

Herst.- Nr.:

FFSD2065B

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC DIODE DPAK 650V

Datenblatt:

FFSD2065B Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	20 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.38 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	80 A
Ir - Sperrstrom:	40 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSD2065B
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Pd - Verlustleistung:	160 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	650 V

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Datenblatt

FFSD2065B Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

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D2 EliteSiC-Dioden

onsemi D2 EliteSiC-Dioden sind eine Reihe von Hochleistungs-Dioden, die für Applikationen ausgelegt sind, die eine Nennspannung von 650 V erfordern. Der D2 von onsemi ist in verschiedenen Gehäusen erhältlich, einschließlich DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 und TO-247-3. Diese Dioden bieten eine niedrige kapazitive Ladung (QC) und sind für Hochgeschwindigkeits-Schaltungen mit niedriger Durchlassspannung optimiert. Diese Eigenschaften machen die Dioden ideal für Blindleistungskompensation (PFC) und Ausgangsgleichrichtungs-Applikationen.

650-V-SiC-Schottky-Dioden

Die 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Die Vorteile für das System sind ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI, eine kleine Systemgröße und niedrige Kosten.