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FFSH50120A

Name: onsemi FFSH50120A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH50120A
Price: 17.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FFSH50120A

Herst.- Nr.:

FFSH50120A

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 1200V 10A SIC SBD

Datenblatt:

FFSH50120A Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	50 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.45 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	280 A
Ir - Sperrstrom:	200 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSH50120A
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Pd - Verlustleistung:	736 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Gewicht pro Stück:	5.321 g

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Datenblatt

FFSH50120A Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FFSH SiC-Schottky-Dioden

onsemi FFSH Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) bieten einen verbesserten Systemwirkungsgrad und verfügen über eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese Schottky-Dioden haben keinen Schaltverlust und verfügen über eine hohe Stoßstromleistung. Die Dioden nutzen Halbleiterwerkstoffe aus Siliziumkarbid für eine höhere Betriebsfrequenz. Sie steigern die Leistungsdichte und verringern Systemgröße und -kosten. Dadurch wird eine hohe Zuverlässigkeit und ein robuster Betrieb währende Stoßstrom- oder Überspannungsbedingungen gewährleistet.

1.200-V-SiC-Schottky-Dioden

Die 1200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Zu den Vorteilen für das System zählen ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI sowie eine geringere Systemgröße und -kosten.

Breitbandlücken-SiC-Bauteile

Die Breitbandlücken-Siliziumkarbid-Bauteile von onsemi enthalten eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Die Vorteile für das System sind ein verbesserter System-Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten. Das SiC-Portfolio von onsemi umfasst 650-V- und 1.200-V-Dioden, 650-V- und 1.200-V-IGBT- und SiC-Dioden-Power-Integrated-Module (PIMs), 1.200-V-MOSFETs und SiC-MOSFET-Treiber sowie AEC-Q100-qualifizierte Bauteile.

D1 EliteSiC-Dioden

Die D1 EliteSiC-Dioden von onsemi sind eine leistungsstarke und vielseitige Lösung, die für moderne Leistungselektronik-Applikationen ausgelegt ist. Der onsemi D1 verfügt über Spannungswerte von 650 V, 1200 V und 1700 V. Diese Dioden bieten die Flexibilität, um verschiedene Design-Anforderungen zu erfüllen. Mit verschiedenen Gehäusen, beispielsweise D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 und TO-247-3, bieten die D1 EliteSiC-Dioden dem Designer Optionen zur Optimierung der Boardfläche und der thermischen Leistung.