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FGH60T65SQD-F155

Name: onsemi FGH60T65SQD-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH60T65SQD-F155
Price: 5.05 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FGH60T65SQD-F155

Herst.- Nr.:

FGH60T65SQD-F155

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 650V 60A FS4 TRENCH

Datenblatt:

FGH60T65SQD-F155 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	120 A
Pd - Verlustleistung:	333 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGH60T65SQD-F155
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CZ
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	8.233 g

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Datenblatt

FGH60T65SQD-F155 Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGH60T65SQD-F155 IGBTs

Die FGH60T65SQD-F155 IGBTs von onsemi verwenden die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie. Die FGH60T65SQD-F155 von onsemi sind IGBTs der 4. Generation, die eine optimale Leistung für Solarwechselrichter-, USV-, Schweiß-, Telekommunikations-, ESS- und PFC-Applikationen bieten. Die IGBTs können verwendet werden, wenn niedrige Leitungs- und Schaltverluste erforderlich sind.