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FQAF13N80

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FQAF13N80

Herst.- Nr.:

FQAF13N80

Herst.:

onsemi

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3PF-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	750 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	88 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	120 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	QFET
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	110 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	150 ns
Serie:	FQAF13N80
Verpackung ab Werk:	360
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	155 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	60 ns
Artikel # Aliases:	FQAF13N80_NL
Gewicht pro Stück:	7 g