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KSA1381ESTSSTU

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-KSA1381ESTSSTU

Herst.- Nr.:

KSA1381ESTSSTU

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT PNP Epitaxial Sil

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

KSA1381ESTSSTU Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-126-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	300 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	300 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	600 mV
Pd - Verlustleistung:	7 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	150 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	KSA1381
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	- 100 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	40
DC Stromverstärkung hFE max.:	320
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	60
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	758 mg

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Datenblatt

KSA1381ESTSSTU Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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