KSC3503DSTU

512-KSC3503DSTU
KSC3503DSTU

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt
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onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
Versandbeschränkungen:
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RoHS:  
Si
Through Hole
TO-126-3
NPN
Single
100 mA
300 V
300 V
5 V
600 mV
7 W
150 MHz
- 55 C
+ 150 C
KSC3503
Tube
Marke: onsemi
Kollektorgleichstrom: 100 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 40
DC Stromverstärkung hFE max.: 320
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 1920
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: KSC3503DSTU_NL
Gewicht pro Stück: 761 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99