KSC5502TU

onsemi
512-KSC5502TU
KSC5502TU

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT NPN Planar Silicon

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Single
2 A
600 V
1.2 kV
12 V
190 mV
50 W
+ 150 C
KSC5502
Tube
Marke: onsemi
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 15
DC Stromverstärkung hFE max.: 15
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 1.800 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
China
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