MMBTH10-4LT1G

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-MMBTH10-4LT1G

Herst.- Nr.:

MMBTH10-4LT1G

Herst.:

onsemi

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	25 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	30 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	3 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	500 mV
Pd - Verlustleistung:	225 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	800 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MMBTH10L
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	120
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	40 mg