N01S830BAT22I

onsemi
863-N01S830BAT22I
N01S830BAT22I

Herst.:

Beschreibung:
SRAM 1MB 3V BATT BU FUNCT

ECAD Model:
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 4.35
Min:
1

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onsemi
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
1 Mbit
128 k x 8
25 ns
20 MHz
SPI
5.5 V
2.5 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSSOP-8
Tube
Marke: onsemi
Speichertyp: SDR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Serie: N01S830
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Typ: Synchronous
Gewicht pro Stück: 400 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

N01S8 1Mb Serieller SRAM mit extrem geringem Stromverbrauch

Deronsemi N01S8x 1Mb serielle SRAM mit extrem geringem Stromverbrauch bietet eine Hochgeschwindigkeits-Leistung und einen geringen Stromverbrauch. Das N0158x SRAM wird mit einem einzigen Chip-Select-Eingang (CS) und über ein einfaches serielles Peripherieschnittstellen-Protokoll (SPI) betrieben. Im SPI-Modus wird eine einzige Dateneingangs-(SI)- und Datenausgangs-(SO)-Leitung zusammen mit dem Takt (SCK) für den Zugriff auf Daten innerhalb dieser Geräte verwendet. Im DUAL-Modus werden zwei Multiplex-Daten-Eingangs-/Daten-Ausgangs-(SIO0-SIO1)-Leitungen verwendet. Im QUAD-Modus werden vier Multiplex-Daten-Eingangs-/Daten-Ausgangs-(SIO0-SIO3)-Leitungen mit dem Takt für den Zugriff auf Daten innerhalb des Speichers verwendet. Das N01s8x SRAM arbeitet über einen breiten Temperaturbereich von -40°C bis +85°C und wird in einem 8-poligen TSSOP-Gehäuse angeboten.
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