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NCD5700DR2G

Name: onsemi NCD5700DR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCD5700DR2G
Price: 2.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCD5700DR2G

Herst.- Nr.:

NCD5700DR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Datenblatt:

NCD5700DR2G Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.86	CHF 2.86
	CHF 2.16	CHF 21.60
	CHF 1.99	CHF 49.75
	CHF 1.78	CHF 178.00
	CHF 1.62	CHF 405.00
	CHF 1.54	CHF 770.00
	CHF 1.50	CHF 1'500.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 1.47	CHF 3'675.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	7.8 A
Versorgungsspannung - Min.:	0 V
Versorgungsspannung - Max.:	5 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	18 ns
Abfallzeit:	19 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	NCD5700
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Kenndaten und Eigenschaften:	DESAT Protection, Tight UVLO Thresholds
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	63 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	56 ns
Betriebsversorgungsstrom:	900 uA
Ausgangsspannung:	800 mV, 14.1 V
Pd - Verlustleistung:	900 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

NCD5700DR2G Datenblatt

Errata

Datasheet update for NCV5700/NCD5700/01 series, DESAT charge current (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Lösungen für die Energieinfrastruktur

Die Energieinfrastrukturlösungen von onsemi adressieren die Landschaft für Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung, die sich schnell entwickelt, um die von der Regierungspolitik gesetzten Ziele zu erfüllen und den Verbrauch zu erhöhen. Erhöhte Effizienzziele, Reduzierung der CO2-Emissionen und der Fokus auf erneuerbare und saubere Energie sind Schlüsselfaktoren für diese Entwicklung der Energieinfrastruktur. onsemi bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Lösungen für die anspruchsvollen Anforderungen von Hochleistungsapplikationen, einschließlich Siliziumkarbid-Dioden (SiC), intelligenten Leistungsmodulen und Strommessverstärkern.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

NCD5700 & NCD5701 IGBT-Gate-Treiber

Die NCD5700 & NCD5701 IGBT-Gate-Treiber von onsemi sind leistungsstarke Hochstromgeräte für Hochleistungsapplikationen wie Solar-Wechselrichter, Motorsteuerung und UPS. Diese Gatter-Treiber sind hochintegriert, bietet eine kostengünstige Lösung durch Eliminierung vieler externe Komponenten.

Die Geräteschutz-Funktionen des NCD5700 und NCD5701 Gate-Treiber verfügen über eine genaue Unterspannungssperre (UVLO), Entsättigungsschutz (DESAT) und aktiven niedrigen FAULT-Ausgang. Abhängig von der Konfiguration der Geräte verfügen sie auch über eine aktive Miller-Klemme und separate Hoch- und Niedrig-Treiberausgänge (VOH und VOL) für Systemdesign-Bequemlichkeit.

Die NCD5700 und NCD5701 Gate-Treiber bieten einen genauen 5,0V-Ausgang. Diese Treiber sind konzipiert, um einen breiten Spannungsbereich von Vorspannungsversorgungen, einschließlich unipolaren und bipolaren Spannungen unterzubringen. Der NCD5700 ist in einem 16-poligen SOIC-Gehäuse erhältlich. Alle drei verfügbaren Pinbelegungsvarianten des NCD5701 haben ein 8-poliges SOIC-Gehäuse.
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