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NST847BPDP6T5G

Name: onsemi NST847BPDP6T5G
Brand: onsemi
SKU: 863-NST847BPDP6T5G
Price: 0.26 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NST847BPDP6T5G

Herst.- Nr.:

NST847BPDP6T5G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963

Datenblatt:

NST847BPDP6T5G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.269	CHF 0.27
	CHF 0.163	CHF 1.63
	CHF 0.102	CHF 10.20
	CHF 0.076	CHF 38.00
	CHF 0.06	CHF 60.00
	CHF 0.046	CHF 230.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 8000)
	CHF 0.041	CHF 328.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-963-6
Transistorpolung:	NPN, PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	45 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	50 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V, 5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	600 mV, 700 mV
Pd - Verlustleistung:	420 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	100 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NST847BPDP6T5G
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	MY
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	200 at 2 mA, 5 V at NPN, 220 at 2 mA, 5 V at PNP
DC Stromverstärkung hFE max.:	200 at 2 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	8000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	1.190 mg