NTJS3151PT1G

onsemi
863-NTJS3151PT1G
NTJS3151PT1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 12V 3.3A P-Channel

ECAD Model:
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 0.52
Min:
1

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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-88-6
P-Channel
1 Channel
12 V
3.3 A
133 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
8.6 nC
- 55 C
+ 150 C
625 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 1.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 15 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 1.5 ns
Serie: NTJS3151P
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 3.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 0.86 ns
Gewicht pro Stück: 6.200 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Taiwan
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NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs

NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind Hochleistungs-MOSFETs, die für effiziente Schaltapplikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs von onsemi sind in einem kompakten SC-88-Gehäuse (SOT-363) mit den Abmessungen 2 mm x 2 mm untergebracht und bieten einen niedrigen RDS(on) von nur 45 mΩ bei -4,5 V. Dies ermöglicht reduzierte Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. Mit einem maximalen Drainstrom von -3,3 A und einer Drain-Source-Nennspannung von -12 V eignen sich die NxJS3151P-Bauteile gut für Lastschaltungen in tragbaren und batteriebetriebenen Geräten. Die extrem niedrige Gate-Ladung und schnellen Schalteigenschaften tragen zu einer verbesserten Energieeffizienz bei, wodurch die NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi ideal für platzbeschränkte Designs sind, bei denen Leistungsdichte und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.