Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

NTP011N15MC

Name: onsemi NTP011N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP011N15MC
Price: 3.21 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTP011N15MC

Herst.- Nr.:

NTP011N15MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220

Datenblatt:

NTP011N15MC Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTP011N15MC

Auf Lager: 1’382

Lagerbestand:: 1’382 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 52 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 3.21	CHF 3.21
	CHF 1.64	CHF 16.40
	CHF 1.29	CHF 129.00
	CHF 1.26	CHF 630.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	74.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	37 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTP011N15MC
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTP011N15MC Datenblatt

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench® -MOSFETs von Onsemi sind n-Kanal und bieten optimierte Schaltleistung. Dieser MOSFET verfügt über eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Body-Diode für ein besonders geräuscharmes Schalten. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringeren Schaltspitzen und geringerer elektromoagnetischer Störung (EMI). Sie verbessern die Umschaltungs-Gütezahl (FOM). Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung für ATX-/Server-/Telekommunikations-PSU, Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Mikro-Solarwechselrichter.