NVMFS4C303NET1G

onsemi
863-NVMFS4C303NET1G
NVMFS4C303NET1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Produkt-Typ: MOSFETs
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
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Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.