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NVMFS5C426NWFAFT1G-TK

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-S5C426NWFAFT1GTK

Herst.- Nr.:

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6-D3F 40V NFET

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	235 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	65 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	128 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	47 ns
Serie:	NVMFS5C426N
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns

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Datenblatt

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.