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NVMFSC0D9N04CL

Name: onsemi NVMFSC0D9N04CL
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFSC0D9N04CL
Price: 5.62 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFSC0D9N04CL

Herst.- Nr.:

NVMFSC0D9N04CL

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

Datenblatt:

NVMFSC0D9N04CL Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 5.62	CHF 5.62
	CHF 3.72	CHF 37.20
	CHF 2.72	CHF 272.00
	CHF 2.46	CHF 1’230.00
	CHF 2.30	CHF 2’300.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 2.23	CHF 6’690.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	316 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	870 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	86 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	166 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	170 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	160 ns
Serie:	NVMFSC0D9N04CL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	220 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	54 ns
Gewicht pro Stück:	161.193 mg

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Datenblatt

NVMFSC0D9N04CL Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V

onsemi NVMFSCx Automotive-Leistungs-MOSFETs mit 40 V und 60 V sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen von 5 mm x 6 mm verfügbar, die sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignen. Die Einzel-n-Kanal-Bauteile verfügen über einen R_DS(on) von 1,5 mΩ und 0,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die MOSFETs verfügen über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus sind die Bauteile AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs

Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten kompakte und effiziente Lösungen für Automobil-Applikationen. Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen R_DS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Einzel-n-Kanal-MOSFETs sind in einem kompakten SO-8FL- und WDFN8-Gehäuse untergebracht und sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
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