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NVMFWD040N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWD040N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWD040N10MCLT1G
Price: 1.61 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-MFWD040N10MCLT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWD040N10MCLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFWD040N10MCLT1G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 1.61	CHF 1.61
	CHF 1.03	CHF 10.30
	CHF 0.69	CHF 69.00
	CHF 0.547	CHF 273.50
	CHF 0.445	CHF 445.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.443	CHF 664.50

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	36 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.7 ns
Serie:	NVMFD040N10MCL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns

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Datenblatt

NVMFWD040N10MCLT1G Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290040
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind kompakte Lösungen mit hohem Wirkungsgrad, die für anspruchsvolle Leistungsschaltapplikationen ausgelegt sind. Diese MOSFETs haben niedrige R_DS(on) -Werte und schnelle Schalteigenschaften, wodurch sich die NVMFDx von onsemi hervorragend für den Einsatz in DC/DC-Wandlern, Motorantrieben und Batteriemanagementsystemen eignen. Diese MOSFETs sind in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse untergebracht und unterstützen eine hohe Strombelastbarkeit und thermische Leistung, die für Fahrzeuganwendungen sowie Industrie- und Unterhaltungselektronik entscheidend ist. Jede Ausführung bietet verschiedene Strom- und Widerstandsprofile, um spezifische Design-Anforderungen zu erfüllen, während gleichzeitig robuste Avalanche-Energiewerte und eine niedrige Gate-Ladung für einen verbesserten Wirkungsgrad und eine verbesserte Zuverlässigkeit in Hochleistungssystemen aufrechterhalten werden.