NXH80T120L3Q0S3TG

onsemi
863-NXH80T120L3Q0S3T
NXH80T120L3Q0S3TG

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM)

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS:  
IGBT Modules
1.2 kV
75 A
300 nA
82 W
Q0PACK
- 40 C
+ 175 C
Tray
Marke: onsemi
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Montageart: Press Fit
Produkt-Typ: IGBT Modules
Serie: NXH80T120L3Q0
Verpackung ab Werk: 24
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH80T120L3Q0 Integrierte Leistungsmodule (PIMs)

onsemi NXH80T120L3Q0 Integrierte Leistungsmodule (PIMs) enthalten eine geklemmte Neutralpunkt(NPC)-Dreistufen-Wechselrichterstufe des T-Typs. Dieser Dreistufen-Wechselrichter besteht aus zwei Halbbrücken-IGBTs von 80 A/1.200 V mit Halbbrückendioden von 40 A/1.200 V. Die NXH80T120L3Q0 PIMs bieten zwei geklemmte Neutralpunkt(NPC)-Dreistufen-IGBTs von 50 A/600 V IGBTs mit zwei NPC-Dioden von 50 A/600 V. Diese PIMs zeichnen sich durch geringere Leitungsverluste, Schaltverluste und eine niedrige VCESAT aus, so dass Benutzer einen hohen Wirkungsgrad und eine überragende Zuverlässigkeit erzielen können. Die NXH80T120L3Q0 Module bieten Optionen mit oder ohne vorappliziertem Wärmeableitungsmaterial (TIM) und mit lötbaren Pins, Press-Fit-Pins und Thermistoren. Dies bietet eine maximale Sperrschichttemperatur (unter Schaltbedingungen) von +150 °C. Die NXH80T120L3Q0 PIMs von onsemi werden ideal in Solarwechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen eingesetzt.