WP7113PD1BT/BD-P22

Name: Kingbright WP7113PD1BT/BD-P22
Brand: Kingbright
SKU: 604-WP7113PD1BTBDP22
Price: 0.68 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

604-WP7113PD1BTBDP22

Herst.- Nr.:

WP7113PD1BT/BD-P22

Herst.:

Kingbright

Beschreibung:

Fotodioden 5mm PHOTODIODE

Datenblatt:

WP7113PD1BT/BD-P22 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Kingbright
Produktkategorie:	Fotodioden
RoHS:
Produkt:	Photodiodes
Verpackung/Gehäuse:	T-1 3/4
Montageart:	Through Hole
Maximum-Wellenlänge:	940 nm
Dunkelstrom:	10 nA
Vr - Sperrspannung:	170 V
Anstiegszeit:	6 ns
Abfallzeit:	6 ns
Winkelgrade bei halber Intensität:	20 deg
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Marke:	Kingbright
Verpackung:	Bulk
Pd - Verlustleistung:	150 mW
Fotostrom:	2 uA
Produkt-Typ:	Photodiodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Optical Detectors & Sensors
Gewicht pro Stück:	309.803 mg

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USHTS:: 8541410000
JPHTS:: 8541400103
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BRHTS:: 85414011
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NPN Si Phototransistors

Kingbright NPN Si Phototransistors are made with NPN silicon phototransistor chips. These phototransistors are mechanically and spectrally matched to infrared-emitting LED lamps. The NPN Si phototransistors operate at a temperature range from -40°C to +85°C. These phototransistors feature a maximum collector-to-emitter voltage of 30V and an emitter-to-collector voltage of 5V. Typical applications include infrared applied systems, optoelectronic switches, and photodetector control circuits.