WP7113PD1BT/BD-P22

Kingbright
604-WP7113PD1BTBDP22
WP7113PD1BT/BD-P22

Herst.:

Beschreibung:
Fotodioden 5mm PHOTODIODE

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 681

Lagerbestand:
681 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
6 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 0.697 CHF 0.70
CHF 0.485 CHF 4.85
CHF 0.356 CHF 35.60
CHF 0.298 CHF 149.00
CHF 0.216 CHF 216.00
CHF 0.204 CHF 408.00
CHF 0.192 CHF 960.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Kingbright
Produktkategorie: Fotodioden
RoHS:  
Photodiodes
T-1 3/4
Through Hole
940 nm
10 nA
170 V
6 ns
6 ns
20 deg
- 40 C
+ 85 C
Marke: Kingbright
Verpackung: Bulk
Pd - Verlustleistung: 150 mW
Fotostrom: 2 uA
Produkt-Typ: Photodiodes
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Optical Detectors & Sensors
Gewicht pro Stück: 309.803 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541410000
USHTS:
8541410000
JPHTS:
8541400103
TARIC:
8541401000
MXHTS:
8541410100
BRHTS:
85414011
ECCN:
EAR99

NPN Si Phototransistors

Kingbright NPN Si Phototransistors are made with NPN silicon phototransistor chips. These phototransistors are mechanically and spectrally matched to infrared-emitting LED lamps. The NPN Si phototransistors operate at a temperature range from -40°C to +85°C. These phototransistors feature a maximum collector-to-emitter voltage of 30V and an emitter-to-collector voltage of 5V. Typical applications include infrared applied systems, optoelectronic switches, and photodetector control circuits.