ams OSRAM Micro SIDELED® LEDs

Die Micro SIDELED® LEDs von ams OSRAM bieten eine außergewöhnliche Qualität und erstklassige Zuverlässigkeit mit einer Auswahl von Seitensuchern für Applikationen, bei denen der Platz begrenzt ist. Die 2808, 3010 und 3806 Mikro-SIDELED-LEDs bieten drei verschiedene Höhen von 0,6 mm, 0,8 mm und 1,0 mm. Die Bauteile liefern eine hohe Helligkeit bei geringem Stromverbrauch und umfassen silikongekapselte Modelle für eine längere Produktlebensdauer.

Die Micro SIDELED 2808, die in Blau und Echtgrün erhältlich sind, sind Geräte zur Seitensuche mit einer kleinen Höhe, die sich ideal für die Kopplung in flache Lichtwellenleiter eignet. Die 2808 eignet sich für Applikationen wie Haushaltsgeräte, Signalsäulen und Wallboxen.

Die Micro SIDELED 3806 RGB vervollständigt die Farbpalette der Side Looker. Mit einer LED können die Benutzer drei verschiedene Farben in einem ultraflachen Gehäuse steuern. Die 3806 eignet sich für Anwendungen wie Ring-Hintergrundbeleuchtungen, Tastaturbeleuchtungen oder andere Spielgeräte, die eine schlanke LED erfordern.

Die Micro SIDELED 3806 Weiß ist 14 % heller als ihre Vorgängererin und bietet ein attraktives Preis-/Leistungsverhältnis.

Die Micro SIDELED 3010 LEDs werden in einem weißen SMT-Gehäuse aus farblosem, klarem Harz mit seitlicher Emission angeboten. Die 3010-LEDs eignen sich aufgrund ihrer geringen Bauhöhe ideal für Anwendungen in Umgebungen mit begrenztem Platzangebot.

Merkmale

  • Universal-Applikationen
    • Mehr Design-basierte Flexibilität durch die Verfügbarkeit von weißen Micro SIDELED® mit verschiedenen Höhen (1 mm und 0,6 mm)
    • Stromeinsparung durch niedrige Durchlassspannung und hohen Wirkungsgrad
    • Hohe ESD-Beständigkeitsspannung und bei Bedarf eine zusätzliche ESD-Schutzdiode direkt im Gussteil
    • Side-Looker-Bauteil
    • Flaches Gehäuse
    • Hohe Helligkeit
    • Optimiert für die Einkopplung in den Lichtleiter
  • Micro SIDELED® 2808
    • Weißes SMT, farbloses, klares Harzgehäuse
    • InGaN-on-Sapphire-Chip-Technologie
    • Typ. 120 °s (Lambertscher Emitter) Strahlung
    • λdom = 470 nm (blau); λdom = 523 nm (echtes Grün); Cx = 0,30, Cy = 0,28 Genauigkeit bis CIE 1931 (weiß)
    • Korrosionsbeständigkeitsklasse 1B
    • 2 kV gem. zu ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2) ESD
  • Micro SIDELED® 3010
    • Weißes SMT-Gehäuse, farbiges, diffuses Harzgehäuse
    • InGaN-Chip-Technologie
    • 120 ° (horizontal), 120 ° (vertikal) Typ. Strahlung
    • Cx = 0,33, Cy = 0,33 Genauigkeit bis CIE 1931 (weiß)
    • Korrosionsbeständigkeit der Klasse 3B
    • 2 kV gem. zu ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2) ESD
  • Micro SIDELED® 3806 Weiß und RGB
    • Weißes SMT-Gehäuse, farbiges diffuses Silikonharz-Gehäuse
    • Chip-Technologie: InGaN auf Sapphire
    • Typ. 120 °s (Lambertscher Emitter) Strahlung
    • Cx = 0,3050, Cy = 0,3026 Genauigkeit zu CIE 1931 (Ultraweiß) — optischer Wirkungsgrad von 180lm/W
    • Korrosionsbeständigkeitsklasse 1B
    • 2 kV gem. ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM) ESD

Applikationen

  • Schilder- und Symbol-Leuchtmittel
  • Anzeigen
  • Effektlicht
  • Haushaltsgeräte
  • Unterhaltungselektronik
  • Gaming
  • Pachinko
  • Hintergrundbeleuchtung von Telefondisplays und Tastaturen
  • Hintergrundbeleuchtungs-LCDs
  • Optimierte Einkopplung von Licht in Lichtleitern
Veröffentlichungsdatum: 2022-06-22 | Aktualisiert: 2025-05-08