Broadcom IGBT Gate-Drive-Optokoppler
Avago Technologies IGBT Gate-Drive-Optokoppler besitzen jeder eine AlGaAs LED, die optisch an einen integrierten Schaltkreis mit einem Leistungsausgang gekoppelt ist. Avago Technologies IGBT Gate-Drive-Optokoppler eignen sich perfekt für Power IGBTs und MOSFETs, die in motorgesteuerten Wechselrichter-Anwendungen genutzt werden. Der hohe Betriebsstrombereich des Leistungsausgangs leistet die Spannungsversorgung, die bei Gate-kontrollierten Geräten erforderlich ist. Die Spannung und der hohe Spitzenausgangsstrom dieser Optokoppler macht sie optimal geeignet für direkten IGBT-Antrieb bis zu 1200 V / 200 A (ACPL-P343/W343), 1200 V / 100 A (ACPL-P341/W341) und 1200 V / 50 A (ACPL-P340/W340). Für IGBTs mit größerer Leistung kann der Optokoppler zur Ansteuerung einer diskreten Leistungsstufe, die das IGBT-Gate ansteuert, eingesetzt werden. Die Optokoppler haben die höchste Isolierspannung von VIORM = 891 Vpeak und VIORM = 1140 Vpeak gemäß IEC/EN/DIN EN 60747-5-2. Avago Technologies IGBT Gate-Drive-Optokoppler basieren auf BCDMOS-Technologie und leisten höheren Spitzenausgangsstrom, bessere Rail-to-Rail-Ausgangsstromleistung und doppelt so schnelle Geschwindigkeit verglichen mit der vorigen Produktgeneration. Der Rail-to-Rail-Ausgang bietet zuverlässigen IGBT-Betrieb und hilft dem Designer, die Systemenergie zu senken, was für Bootstrap-Energieversorgung geeignet ist. Kurze Laufzeitverzögerung für schnelles Einschalten reduziert die Totzeit und verbessert zusammen mit hohem CMR (Common Mode Rejection) die gesamte Systemeffizienz und Zuverlässigkeit. Das gestreckte SO6 Gehäuse ist bis zu 50% kleiner als das herkömmliche DIP Gehäuse und ermöglicht ein kleineres, kompakteres Design.
The voltage and high peak output current supplied by these optocouplers make them ideally suited for direct driving IGBT with ratings up to 1200V / 200A (ACPL-P343/W343), 1200V / 100A (ACPL-P341/W341), and 1200V / 50A (ACPL-P340/W340). For IGBTs with higher ratings, this optocoupler can be used to drive a discrete power stage which drives the IGBT gate. These optocouplers have the highest insulation voltage of VIORM = 891Vpeak and VIORM = 1140Vpeak respectively in the IEC/EN/DIN EN 60747-5-2.
Broadcom IGBT Gate Drive Optocouplers are based on BCDMOS technology, and deliver higher peak output current, better rail-to-rail output voltage performance, and 2 times faster speed than the previous generation products. The rail-to-rail output provides reliable IGBT drive and helps the designer lower the system power which is suitable for bootstrap power supply operation. Short propagation delay for fast switching reduces dead time and, along with high CMR (common mode rejection), will improve overall system efficiency and reliability. The stretched SO6 package is up to 50% smaller than the conventional DIP package and facilitates smaller, more compact design.
Merkmale
- Rail-to-rail output voltage
- Low LED current input with hysteresis
- Under Voltage Lock-Out protection (UVLO) with hysteresis
- Very small stretched SO6 package
Technische Daten
- 200ns maximum propagation delay
- 100ns maximum propagation delay difference
- 35kV/µs minimum Common Mode Rejection (CMR) at VCM = 1500V
- ICC = 3.0mA maximum supply current
- 15 to 30V Wide operating VCC Range
- -40°C to +105°C Industrial temperature range