BFU550WX

NXP Semiconductors
771-BFU550WX
BFU550WX

Herst.:

Beschreibung:
HF-Bipolartransistoren Dual NPN wideband Silicon RFtransistor

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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NXP
Produktkategorie: HF-Bipolartransistoren
RoHS:  
BFU550W
Bipolar Wideband
Si
NPN
11 GHz
60
12 V
2 V
50 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-323-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: NXP Semiconductors
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC): 80 mA
Ausgangsleistung: 13.5 dBm
Pd - Verlustleistung: 450 mW
Produkt-Typ: RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: 934067695115
Gewicht pro Stück: 5.569 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

BFU5x NPN Breitband-Silizium HF-Transistoren

NXP Semiconductor BFU5x NPN-Breitband Silizium-HF-Transistoren sind AEC-Q101 qualifiziert, weisen geringes Rauschen auf, hohe HF-Aufschlüsselung und sind geeignet für Kleinsignaltransistoren von mittleren Leistungsanwendungen bis zu 2GHz. Mit außergewöhnlicher Leistung erzeugen BFU5x HF-Transistoren maximale Verstärkung von 20 dB und eine Rauschzahl von 0,7 dB bei 900 MHz. Diese Geräte schaffen einen besseren Signalempfang bei niedriger bis mittlerer Leistung und ermöglichen den robusteren Einsatz von HF-Empfängern in lauten Umgebungen. Bei der Verwendung der (geräuscharmen) Verstärker oder Oszillatoren unterstützen BFU5x HF-Transistoren hohe Versorgungsspannungen und hohe Durchschlagsspannungen. Dies macht diese Geräte für Automobil-, Kommunikations- und industrielle Anwendungen gut geeignet. Die Produktfamilie ist in zahlreichen Industriestandard-Gehäusen, einschließlich SOT323, SOT23 und SOT143 erhältlich.
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