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CG2H40045F

Name: MACOM CG2H40045F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40045F
Price: 370.76 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CG2H40045F

Herst.- Nr.:

CG2H40045F

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt

Datenblatt:

CG2H40045F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	440193
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Maximale Betriebsfrequenz:	4 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Technologie:	GaN
Marke:	MACOM
Entwicklungs-Kit:	CG2H40045F-TB
Verstärkung:	16 dB
Ausgangsleistung:	45 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	20
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V, 2 V
Gewicht pro Stück:	9.105 g

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Datenblatt

CG2H40045F Datenblatt (PDF)

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Vereinigte Staaten
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs

CG2H40xx und CG2H30xx GaN (Galliumnitrid)-HEMTs von Wolfspeed / Cree sind High Electron Mobility Transistoren (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit), deren Betrieb über eine 28-V-Schiene ausgelegt ist. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren bieten eine Universal-Breitbandlösung für zahlreiche HF- und Mikrowellen-Applikationen. Da diese HEMTs über einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und umfangreiche Bandbreiten-Fähigkeiten verfügen, sind sie hervorragend für den Einsatz in linearen und komprimierten Verstärkerschaltungen geeignet. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren sind in einer großen Auswahl von Gehäusetypen für Design-Flexibilität verfügbar, einschließlich Schraub-, Löt-, Pill- und Flansch-Gehäuse. Zu den typischen Applikationen gehören Breitbandverstärker, Mobilfunkinfrastruktur und Radar.

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CG2H40045F

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Beschreibung: GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt

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