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DF2B5M4CT,L3F

Name: Toshiba DF2B5M4CT,L3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-DF2B5M4CTL3F
Price: 0.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-DF2B5M4CTL3F

Herst.- Nr.:

DF2B5M4CT,L3F

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden ESD protection diode .3pF 5.0V

Datenblatt:

DF2B5M4CT,L3F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.254	CHF 0.25
	CHF 0.18	CHF 1.80
	CHF 0.088	CHF 8.80
	CHF 0.073	CHF 36.50
	CHF 0.051	CHF 51.00
	CHF 0.043	CHF 107.50
	CHF 0.04	CHF 200.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	CHF 0.033	CHF 330.00
	CHF 0.031	CHF 620.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
RoHS:
Polung:	Bidirectional
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Arbeitsspannung:	3.6 V
Montage:	SMD/SMT
Klemmspannung:	15 V
Überschlagsspannung:	4 V
Verpackung/Gehäuse:	SOD-882-2
Ipp - Spitzen-Impulsstrom:	2 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation (Spitzenimpuls-Verlustleistung):	30 W
Cd - Diodenkapazität:	0.3 pF
Vesd - Spannung ESD-Kontakt:	20 kV
Vesd - Spannung ESD-Luftspalt:	20 kV
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Produkt:	ESD Suppressors
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Gewicht pro Stück:	0.700 mg

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Datenblatt

DF2B5M4CT,L3F Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD)

Toshiba Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD) verfügen über ein großes Produktangebot, das die neuesten Anforderungen mit TVS, Schottky-Barriere-Dioden (SBD), LDOs, Lastschalter-ICs und dem neuen leistungsstarken eFuse-IC erfüllt. Diese SSDs können Daten schneller analysieren als herkömmliche Festplattenlaufwerke (HDD). Während die SSD-Technologie sich verbessert, wird eine Leistungsschaltung erforderlich sein, welche die zunehmend strengen Leistungsanforderungen zusammen mit einem Schutz, der wichtige Daten vor Ausfällen schützt, erfüllt. Toshiba bietet eine große Auswahl von Lastschaltern und MOSFETs für die Steuerung von Leistungseingängen, Schutz-ICs und Dioden, die für den Umgang mit abnormalen Eingangsleistungsbedingungen und Überspannungen während des Hotplugs ausgelegt sind.

Next-Generation ESD Protection Diodes

Toshiba Next-Generation ESD Protection Diodes are used for power supply circuits in mobile devices such as smartphones and wearable devices. A choice of operating voltages (3.6V, 5.5V, 12.6V) and packages (SOD962, SL2, SOD963, CST2C, SOT553, USC, and DFN10) provides flexible options for realizing ESD protection against static electricity and noise in various designs.

DF2Bx ESD-Schutzdioden

Die Toshiba DF2Bx ESD-Schutzdioden sind zum Schutz von Halbleiterbauteilen ausgelegt, die in mobilen Geräteschnittstellen und anderen Applikationen gegen statische Elektrizität und Rauschen verwendet werden. Diese Dioden nutzen Snapback-Eigenschaften, um einen niedrigen dynamischen Widerstand und eine hervorragende Schutzleistung zu bieten. Die DF2Bx ESD-Schutzdioden sind für die Verwendung mit einer 3,3-V-/5-V-Signalleitung geeignet. Diese Dioden sind in einem kompakten Gehäuse verfügbar, das sich für den Einsatz in Board-Layouts mit hoher Dichte eignet, beispielsweise von Mobilgeräten. Typische Anwendungen sind Smartphones, Tablets, Notebooks und Desktop-PCs.