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DMN3730UFB-7

Name: Diodes Incorporated DMN3730UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 522-DMN3730UFB-7
Price: 0.73 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

522-DMN3730UFB-7

Herst.- Nr.:

DMN3730UFB-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

Datenblatt:

DMN3730UFB-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	X1-DFN1006-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	730 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	460 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	450 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	690 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	DMN37
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	80 mg

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Datenblatt

DMN3730UFB-7 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Diodes Inc. 30V & Asymmetrische Dual-N-Kanal Enhancement Modus MOSFETs

Diodes Inc. 30V & Asymmetrische Dual-N-Kanal Enhancement Modus MOSFETs sind für die Minimierung von Durchlasswiderstand (RDS(on)) und Leitungsverlusten bei gleichzeitig überlegener Schaltleistung entwickelt. Diodes Inc. 30V & Asymmetrische Dual-N-Kanal Enhancement Modus MOSFETs sind ideal für leistungsstarke Powermanagement-Anwendungen wie Ladeschalter, tragbare Anwendungen und Energieverwaltungsfunktionen. Die DMN3730UFB/4 30V N-Kanal-MOSFETs besitzen ein Gehäuse von nur 0.6mm2 - 10 Mal kleiner als die SOT23 - und niedrige VGS(th), wodurch sie direkt von eine Batterie versorgt werden können. Die DMS301xSSD Asymmetrischen Dual-N-Kanal MOSFETs nutzen einen einzigartigen patentierten Vorgang, um ein MOSFET und eine Schottky monolithisch zu integrieren und niedrige VSD zu bieten, die dank Body-Diode-Bauweise Verluste verringern; niedrige Qrr, zur Reduktion von Body-Diode-Schaltverlusten; und ein niedriges Gate-Kapazitäts-Verhältnis (Qg/Qgs), was das Risiko von Shoot-Through- oder Kreuz-Leitungsströmen bei hohen Frequenzen reduziert. All diese MOSFETs sind "grüne" Geräte gemäß Diodes Inc.s "Grüner" Politik.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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DMT31M8LFVWQ 30 V n-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus

Bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße.

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.733	CHF 0.73
	CHF 0.372	CHF 3.72
	CHF 0.325	CHF 32.50
	CHF 0.279	CHF 139.50
	CHF 0.273	CHF 273.00
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	CHF 0.16	CHF 480.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

DMN3730UFB-7

Herst.: Diodes Incorporated

Beschreibung: MOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

Technische Daten

Dokumente (3)

Datenblatt

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

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DMNxx MOSFETs

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