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DMN53D0LDW-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LDW-13
Price: 0.24 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN53D0LDW-13

Herst.- Nr.:

DMN53D0LDW-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL MOSFET

Datenblatt:

DMN53D0LDW-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.243	CHF 0.24
	CHF 0.149	CHF 1.49
	CHF 0.112	CHF 11.20
	CHF 0.079	CHF 39.50
	CHF 0.055	CHF 55.00
	CHF 0.052	CHF 130.00
	CHF 0.045	CHF 225.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	CHF 0.035	CHF 350.00
	CHF 0.032	CHF 640.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

DMN53D0LDW-7

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.23

Min:

Ähnliches Produkt

Herst.:

Diodes Incorporated

Herst.- Nr.:

DMN53D0LDW-7

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	360 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	600 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	310 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11 ns, 11 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.5 ns, 2.5 ns
Serie:	DMN53
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns, 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.7 ns, 2.7 ns
Gewicht pro Stück:	7.500 mg

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Datenblatt

DMN53D0LDW-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.