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DXTN07100BFG-7

Name: Diodes Incorporated DXTN07100BFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTN07100BFG-7
Price: 0.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DXTN07100BFG-7

Herst.- Nr.:

DXTN07100BFG-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Datenblatt:

DXTN07100BFG-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.673	CHF 0.67
	CHF 0.417	CHF 4.17
	CHF 0.269	CHF 26.90
	CHF 0.206	CHF 103.00
	CHF 0.19	CHF 190.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 0.17	CHF 340.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerDI3333-8
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	2 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	100 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	120 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	150 mV
Pd - Verlustleistung:	3.1 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	175 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom:	2 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	100
DC Stromverstärkung hFE max.:	300
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	30 mg

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Datenblatt

DXTN07100BFG-7 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs)

Die DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs) von Diodes Incorporated in kleineren, thermisch effizienten PowerDI®3333-8-Gehäusen angeboten. Diese Transistoren sind in einem oberflächenmontierbaren PowerDI-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm x 0,8 mm untergebracht. Das Gehäuse benötigt 70 % weniger Leiterplattenplatz (PCB) als herkömmliche Transistoren mit kleinem Umriss (SOT223). Die PowerDI3333-Gehäuse erhöhen den PCB-Durchsatz mit benetzbaren Flanken, wodurch die automatische optische Inspektion (AOI) mit hoher Geschwindigkeit von Lötstellen vereinfacht wird. Diese NPN- und PNP-Transistoren können Funktionen, wie z. B. eine Linear- oder LDO-Regelung, ein Gate-Driving von MOSFETs oder Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Lastschaltern über Industrie- und Verbraucherapplikationen durchführen.