DXTP07100BFG-7

Diodes Incorporated
621-DXTP07100BFG-7
DXTP07100BFG-7

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor

ECAD Model:
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
PNP
Single
2 A
100 V
120 V
7 V
260 mV
3.1 W
140 MHz
- 55 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom: - 2 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 100
DC Stromverstärkung hFE max.: 300
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 30 mg
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs)

Die DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs) von Diodes Incorporated in kleineren, thermisch effizienten PowerDI®3333-8-Gehäusen angeboten. Diese Transistoren sind in einem oberflächenmontierbaren PowerDI-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm x 0,8 mm untergebracht. Das Gehäuse benötigt 70 % weniger Leiterplattenplatz (PCB) als herkömmliche Transistoren mit kleinem Umriss (SOT223). Die PowerDI3333-Gehäuse erhöhen den PCB-Durchsatz mit benetzbaren Flanken, wodurch die automatische optische Inspektion (AOI) mit hoher Geschwindigkeit von Lötstellen vereinfacht wird. Diese NPN- und PNP-Transistoren können Funktionen, wie z. B. eine Linear- oder LDO-Regelung, ein Gate-Driving von MOSFETs oder Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Lastschaltern über Industrie- und Verbraucherapplikationen durchführen.

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Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.709 CHF 0.71
CHF 0.439 CHF 4.39
CHF 0.285 CHF 28.50
CHF 0.217 CHF 108.50
CHF 0.197 CHF 197.00
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CHF 0.196 CHF 392.00
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