FFSB0865B-F085

onsemi
863-FFSB0865B-F085
FFSB0865B-F085

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 650V 8A SIC SBD GEN1.5

Datenblatt:
ECAD Model:
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CHF -.--
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 4.12 CHF 4.12
CHF 2.74 CHF 27.40
CHF 1.95 CHF 195.00
CHF 1.73 CHF 865.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
CHF 1.58 CHF 1'264.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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onsemi
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-2
Single
8 A
650 V
1.39 V
56 A
500 nA
- 55 C
+ 175 C
FFSB0865B-F085
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Pd - Verlustleistung: 73 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: EliteSiC
Vr - Sperrspannung: 650 V
Gewicht pro Stück: 2.240 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

D2 EliteSiC-Dioden

onsemi D2 EliteSiC-Dioden sind eine Reihe von Hochleistungs-Dioden, die für Applikationen ausgelegt sind, die eine Nennspannung von 650 V erfordern. Der D2 von onsemi ist in verschiedenen Gehäusen erhältlich, einschließlich DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 und TO-247-3. Diese Dioden bieten eine niedrige kapazitive Ladung (QC) und sind für Hochgeschwindigkeits-Schaltungen mit niedriger Durchlassspannung optimiert. Diese Eigenschaften machen die Dioden ideal für Blindleistungskompensation (PFC) und Ausgangsgleichrichtungs-Applikationen.

FFSx0865B-F085 650-V-SiC-Schottky-Dioden

Die FFSx0865B-F085 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden mit 8 A von onsemi verwenden eine Technologie, die eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Die FFSx0865B-F085 SiC-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über temperaturunabhängige Schalteigenschaften sowie eine hervorragende thermische Leistung. Weitere Vorteile umfassen den höchsten Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten. Die FFSx0865B-F085 650-V-SiC-Schottky-Dioden mit 8 A sind in einem D2PAK-3-Gehäuse verfügbar.

650-V-SiC-Schottky-Dioden

Die 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Die Vorteile für das System sind ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI, eine kleine Systemgröße und niedrige Kosten.

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