FP35R12N2T7BPSA2

Infineon Technologies
726-FP35R12N2T7BPSA2
FP35R12N2T7BPSA2

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module 1200 V, 35 A PIM IGBT module

Datenblatt:
ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS:  
IGBT Silicon Modules
3-Phase Inverter
1.2 kV
1.6 V
35 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Marke: Infineon Technologies
Produkt-Typ: IGBT Modules
Verpackung ab Werk: 15
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Artikel # Aliases: FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1
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Datenblatt

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Konformitätscodes
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Österreich
Herstellungsland:
Ungarn
Land der Verbreitung:
Österreich
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1200 V PIM-3-Phasen-Eingangsgleichrichter

Die 1200 V PIM-3-Phasen Eingangsgleichrichter von Infineon Technologies sind EconoPIM™ 2 1200 V, 100 A dreiphasige PIM IGBT-Module. Die Gleichrichter sind mit TRENCHSTOP™ IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode und NTC ausgestattet. Die PIM (Power Integrated Modules) mit der Integration von Gleichrichter und Bremschopper ermöglichen Systemkosteneinsparungen. 

1.200 V PIM-IGBT-Module

Infineon 1.200 V PIM-IGBT-Module bieten eine TRENCHSTOP™ IGBT7- und EC7-Dioden-Technologie, die auf der neuesten Mikromuster-Trench-Technologie basiert. Diese Technologie bietet stark reduzierte Verluste und einen hohen Grad an Steuerbarkeit. Das Zellenkonzept zeichnet sich dadurch aus, dass parallelgeschaltete Trench-Zellen, die durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind, im Vergleich zu früher verwendeten quadratischen Trench-Zellen implementiert werden. Der Chip ist speziell für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige Maximale Betriebstemperatur von bis zu 175°C in den 1.200 V PIM-IGBT-Modulen von Infineon erhöht wird.

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