FSB50550AB

onsemi
512-FSB50550AB
FSB50550AB

Herst.:

Beschreibung:
Intelligente Leistungsmodule – IPMs Motion SPM

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 101

Lagerbestand:
101 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
15 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 7.84 CHF 7.84
CHF 5.60 CHF 56.00
CHF 4.60 CHF 483.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: Intelligente Leistungsmodule – IPMs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Marke: onsemi
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.: 500 V
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Montageart: Through Hole
Verpackung/Gehäuse: SPM23DD-21
Verpackung: Tube
Pd - Verlustleistung: 14.5 W
Produkt-Typ: Intelligent Power Modules - IPMs
Serie: SPM 5
Verpackung ab Werk: 15
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Technologie: Si
Typ: 3-Phase
Gewicht pro Stück: 3.215 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FSB50xxx Advanced Motion SPM®-Module der 5-Serie

Die Module der Fairchild FSB50xxx Advanced Motion SPM® Serie 5 bieten eine hochleistungsfähige Inverter-Endstufe für AC-Induktionsmotoren, BLDC-Motoren und PMSM-Motoren, die alle Leistungsmerkmale enthält. Diese Module integrieren optimierte Gate-Treiber der integrierten MOSFETs (FRFET® oder SuperFET®-Technik) zur Reduzierung von EMI und Verlusten und stellt gleichzeitig mehrere On-Modul-Schutzfunktionen einschließlich Abschaltung bei Unterspannung und Wärmeüberwachung bereit. Die eingebaute Hochgeschwindigkeits-HVIC benötigt nur eine einzige Spannungsversorgung und wandelt die eingehenden Logikebenen-Gate-Eingänge in die Hochspannungs-, Hochstromantriebssignale um, die für den entsprechenden Antrieb der internen MOSFETs des Moduls notwendig sind. Separate Open-Source-MOSFET-Anschlüsse sind für jede Phase verfügbar, um die größte Vielfalt von Steuerungsalgorithmen zu unterstützen.
Weitere Informationen