GCMS080B120S1-E1

SemiQ
148-GCMS080B120S1-E1
GCMS080B120S1-E1

Herst.:

Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227

Datenblatt:
ECAD Model:
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SemiQ
Produktkategorie: Diskrete Halbleitermodule
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET-SiC SBD Modules
COPACK Power Module
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
SOT-227-4
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: SemiQ
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 14 ns
Id - Drain-Gleichstrom: 30 A
Pd - Verlustleistung: 142 W
Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 77 mOhms
Anstiegszeit: 4 ns
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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CHF 15.70 CHF 1’570.00
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