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GE04MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE04MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE04MPS06E-TR
Price: 1.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

905-GE04MPS06E-TR

Herst.- Nr.:

GE04MPS06E-TR

Herst.:

GeneSiC Semiconductor

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

GE04MPS06E-TR Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.34	CHF 1.34
	CHF 1.16	CHF 11.60
	CHF 1.09	CHF 27.25
	CHF 1.01	CHF 101.00
	CHF 0.951	CHF 237.75
	CHF 0.923	CHF 461.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.784	CHF 1’960.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Navitas Semiconductor
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	4 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.25 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	22 A
Ir - Sperrstrom:	1 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Pd - Verlustleistung:	101 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V

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Datenblatt

GE04MPS06E-TR Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.