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HT8MD5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MD5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MD5HTB1
Price: 1.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-HT8MD5HTB1

Herst.- Nr.:

HT8MD5HTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT8 NPCH 80V 3.5A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

HT8MD5HTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 1.57	CHF 1.57
	CHF 1.01	CHF 10.10
	CHF 0.692	CHF 69.20
	CHF 0.588	CHF 294.00
	CHF 0.512	CHF 512.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.435	CHF 1'305.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V, 80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A, 8.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	112 mOhms, 191 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V, 4 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC, 17.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	13 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	4.6 ns, 33 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.8 S, 3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns, 7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns, 74 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.8 ns, 9.4 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.