IDH04G65C5XKSA2

Infineon Technologies
726-IDH04G65C5XKSA2
IDH04G65C5XKSA2

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SIC DIODES

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu Infineon Technologies IDH04G65C5XKSA2

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
4 A
650 V
1.5 V
38 A
200 nA
- 55 C
+ 175 C
650 V
XDH04G65
Tube
Marke: Infineon Technologies
Pd - Verlustleistung: 48 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: CoolSiC
Artikel # Aliases: IDH04G65C5 SP001632402
Gewicht pro Stück: 2 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Österreich
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Österreich
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolSiC™ Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Die Siliziumkarbid-CoolSiC™ -MOSFETs und -Dioden von Infineon bieten ein Portfolio, das den Bedarf an intelligenterer und effizienterer Energieerzeugung, -übertragung und -nutzung abdeckt. Das CoolSiC-Portfolio erfüllt die Kundenanforderungen nach einer Verringerung der Systemgröße und -kosten bei Systemen mit mittlerer bis hoher Leistung, während gleichzeitig die höchsten Qualitätsstandards eingehalten werden, eine lange Systemlebensdauer gewährleistet und die Zuverlässigkeit garantiert wird. Mit CoolSiC werden Kunden die strengsten Effizienzziele erreichen und gleichzeitig die Betriebskosten senken. Das Portfolio umfasst CoolSiC-Schottky-Dioden, CoolSiC-Hybridmodule, CoolSiC-MOSFET-Module und diskrete sowie EiceDRIVER™ -Gate-Treiber-ICs für die Ansteuerung von Siliziumkarbid-Geräten.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

CoolSiC™ Schottky-Dioden

Infineon CoolSiC™ Schottky-Dioden bieten einen relativ hohen Einschaltwiderstand und Ableitstrom. Eine wesentlich höhere Durchschlagspannung kann in Schottky-Dioden mit einem SiC-Material erzielt werden. Das Portfolio an SiC-Schottky-Bauteilen von Infineon umfasst 600-V- und 650-V- bis 1.200-V-Schottky-Dioden. Die Kombination eines schnellen Silizium-basierten Schalters mit einer CoolSiC™ Schottky-Diode wird oft als „Hybrid “-Lösung bezeichnet. In den letzten Jahren hat Infineon mehrere Millionen Hybridmodule hergestellt und sie in verschiedenen Kundenprodukten in Applikationen wie z. B. Solar und USV installiert.

Auf Lager: 1’897

Lagerbestand:
1’897
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
2’500
erwartet ab 20.08.2027
Lieferzeit ab Hersteller:
52
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1   Maximal: 500
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 2.28 CHF 2.28
CHF 1.30 CHF 13.00
CHF 1.01 CHF 101.00
CHF 0.845 CHF 422.50

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.