Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IKW08N120CS7XKSA1

Name: Infineon IKW08N120CS7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW08N120CS7XKSA
Price: 3.47 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKW08N120CS7XKSA

Herst.- Nr.:

IKW08N120CS7XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

Datenblatt:

IKW08N120CS7XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IKW08N120CS7XKSA1

Auf Lager: 7

Lagerbestand:: 7

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 240

erwartet ab 12.03.2026

240

erwartet ab 19.03.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 14

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 3.47	CHF 3.47
	CHF 1.94	CHF 19.40
	CHF 1.59	CHF 159.00
	CHF 1.40	CHF 672.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	21 A
Pd - Verlustleistung:	106 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	IGBT7 S7
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKW08N120CS7 SP005419704

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IKW08N120CS7XKSA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

International Rectifier 1200V Gen8 IGBTs

International Rectifier 1200V Gen8 IGBTs bieten die neueste Generation der Gate-Field-Stop-Technologie von IR, die in industriefähigen TO-247-Standardgehäusen angeboten werden, um die beste Leistung für Industrie- und Energiesparanwendungen ihrer Klasse zu bieten. Die Gen8-Technologie bietet weichere Abschalt-Eigenschaften, die für Motorantriebs-Anwendungen ideal sind, minimieren dv/dt, um EMI und Überspannung zu reduzieren, und gleichzeitig Zuverlässigkeit und Robustheit zu erhöhen. Diese Gen8-IGBTs bieten einen Stromwert von 8A bis zu 60A mit typ. VCE(ON) von 1,7V und eine Kurzschlussfestigkeit von 10µs, was die Verlustleistung reduziert und zu einer erhöhten Leistungsdichte und Robustheit führt. Durch die Verwendung der Dünnwafer-Technologie liefern die 1200V Gen8-IGBTs eine erhöhte thermische Beständigkeit und eine maximale Sperrschichttemperatur von bis zu 175°C.
Weitere Informationen

IGBT7 Diskrete Bauteile

Die IGBT7 Discretes von Infineon Technologies sind die 7. Generation der TRENCHSTOP™ -IGBTs, die mit der Micro-Pattern-Trench-Technologie entwickelt wurden. Die fortschrittliche Technologie bietet eine beispiellose Steuerung und Leistung, was zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer erhöhten Leistungsdichte in Applikationen führt.

TRENCHSTOP™ IGBT7 Diskrete Bauteile und Module

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 diskrete Bauteile und Module sind für Antriebe mit variabler Geschwindigkeit ausgelegt. 20 % Energie oder 17 Millionen Tonnen CO₂ können eingespart werden, wenn nur die Hälfte aller Industrieantriebe über eine elektrische Geschwindigkeitsregelung verfügen würde. Infineon ermöglicht diese Umstellung mit der TRENCHSTOP IGBT7-Technologie.

TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 von Infineon Technologies bietet ein umfangreiches 1200-V-Portfolio für alle Industrieapplikationen, die Kurzschlussfestigkeit/Robustheit erfordern. Der IGBT7 S7 ist ein effizienter kurzschlussfester, diskreter IGBT, der mindestens 10 % niedrigere Sättigungsspannung als andere bietet.