Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IPTC068N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPTC068N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPTC068N20NM6ATM
Price: 5.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPTC068N20NM6ATM

Herst.- Nr.:

IPTC068N20NM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IPTC068N20NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IPTC068N20NM6ATMA1

Auf Lager: 4'681

Lagerbestand:: 4'681 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 52 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 5.77	CHF 5.77
	CHF 4.84	CHF 48.40
	CHF 4.04	CHF 404.00
	CHF 3.56	CHF 1'780.00
	CHF 3.06	CHF 3'060.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1800)
	CHF 3.06	CHF 5'508.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	140 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	71 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	319 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	33 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Artikel # Aliases:	IPTC068N20NM6 SP006063004

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IPTC068N20NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

Die OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind n-Kanal-Normalpegel-MOSFETs, die in den Gehäusen PG-TO263-3 PG-TO220-3 und PG-HDSOP-16 erhältlich sind. Diese MOSFETs verfügen über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x R_DS(on) -Produkt (FOM), eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr) und einen niedrigen On‑Widerstand R_DS(on). Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs arbeiten bei einer Temperatur von 175 °C. Diese MOSFETs sind halogenfrei gemäß IEC61249-2‑21 und haben eine Feuchteempfindlichkeit (MSL 1) klassifiziert gemäß J‑STD-020 Standard. Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs sind ideal fürerneuerbare Energien, Motorsteuerung, Audioverstärker und Industrieapplikationen.

OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs bieten die modernste Innovation der nächsten Generation und eine erstklassige Performance. Die OptiMOS 6 Produktfamilie nutzt die Dünnwafer-Technologie, die wesentliche Leistungsvorteile ermöglicht. Verglichen mit alternativen Produkten liefern die OptiMOS 6 Leistungs-MOSFETs einen um 30 % reduzierten R_DS(ON) und sind für die Synchrongleichrichtung optimiert.