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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH64NE2LM7UCGS
Price: 2.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IQEH64NE2LM7UCGS

Herst.- Nr.:

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Datenblatt (PDF)

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	CHF 1.12	CHF 112.00
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	348 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	640 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	130 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.6 ns
Serie:	OptiMOS 7
Verpackung ab Werk:	6000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.2 ns
Artikel # Aliases:	IQEH64NE2LM7UCGSC SP006008732

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Datenblatt

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

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N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS

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