IS42S86400F-6TLI

ISSI
870-42S86400F6TLI
IS42S86400F-6TLI

Herst.:

Beschreibung:
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT

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ISSI
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
SDRAM
512 Mbit
8 bit
167 MHz
TSOP-II-54
64 M x 8
6 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S86400F
Reel
Marke: ISSI
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 108
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.: 180 mA
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM

ISSIs 3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM bietet eine breite Auswahl an SDR SDRAM mit Speicherdichten von 16Mbit bis zu 512Mbit in Speicheranordnungen von 1Mx16, 4Mx16 und 8Mx16. Jede dieser Komponenten verfügt über eine einzelne Versorgungsspannung (3,3V +/-0,3V), Standard-SDRAM-Taktung, LVTTL-kompatible Eingänge, programmierbare Burst-Länge von 1, 2, 4, 8 oder Full-Page, Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi sowie eine programmierbare CAS-Latenz von 2 oder 3. Typische Anwendungsbereiche für diese Komponenten sind unter anderem drahtlose Zugangspunkte, Basisstationen, Router, Netzwerkspeicher, Energiemanagement-Anwendungen, industrielle Steuerungen, Infotainment in Fahrzeugen und Fahrzeug-Telematik.
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