IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

Name: ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVC2M16EL7010BLI
Price: 6.27 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

870-WVC2M16EL7010BLI

Herst.- Nr.:

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Datenblatt:

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	32 Mbit
Organisation:	2 M x 16
Zugangszeit:	70 ns
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	30 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Marke:	ISSI
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	IS66WVC2M16EALL
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

Herst.: ISSI

Beschreibung: SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

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Pseudo SRAM/CellularRAM

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ISSI

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SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

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