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MASTERGAN1

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1
Price: 7.26 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN1

Herst.- Nr.:

MASTERGAN1

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Datenblatt:

MASTERGAN1 Datenblatt (PDF)

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	CHF 7.26	CHF 7.26
	CHF 5.18	CHF 51.80
	CHF 4.95	CHF 123.75
	CHF 4.30	CHF 430.00
	CHF 4.10	CHF 1'025.00
	CHF 3.74	CHF 1'870.00
	CHF 3.32	CHF 3'320.00
	CHF 3.21	CHF 8'025.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-31
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	9.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Entwicklungs-Kit:	EVALMASTERGAN1
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	680 uA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	330 mOhms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	1560
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück:	120 mg

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Datenblatt

MASTERGAN1 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.