MASTERGAN4LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4LTR
MASTERGAN4LTR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 1'367

Lagerbestand:
1'367 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Bestellmengen größer als 1367 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 4.66 CHF 4.66
CHF 3.58 CHF 35.80
CHF 3.31 CHF 82.75
CHF 3.00 CHF 300.00
CHF 2.86 CHF 715.00
CHF 2.78 CHF 1'390.00
CHF 2.70 CHF 2'700.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 2.56 CHF 7'680.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Marke: STMicroelectronics
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 45 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 45 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 6.5 A
Pd - Verlustleistung: 40 mW
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 70 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 495 mOhms
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen RDS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.