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MJD42C-QJ

Name: Nexperia MJD42C-QJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-MJD42C-QJ
Price: 0.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-MJD42C-QJ

Herst.- Nr.:

MJD42C-QJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT

Datenblatt:

MJD42C-QJ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.90	CHF 0.90
	CHF 0.555	CHF 5.55
	CHF 0.419	CHF 20.95
	CHF 0.357	CHF 35.70
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.357	CHF 892.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	10 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	100 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Pd - Verlustleistung:	1.6 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	3 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom:	6 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	15 at - 3 A, - 4 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934662844118

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Datenblatt

MJD42C-QJ Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

MJD41C und MJD42C 6-A-Bipolartransistoren mit 100 V

Nexperia MJD41C und MJD42C 6-A-Bipolartransistoren mit 100 V bieten eine hohe thermische Verlustleistung in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C). Diese Bauteile bieten aufgrund der geringen Wärmeentwicklung eine hohe Energieeffizienz und verfügen über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Die MJD41C und MJD42C von Nexperia eignen sich hervorragend für eine große Auswahl von Applikationen, einschließlich Linear-Spannungsregler, Leistungsmanagement und Hintergrundbeleuchtungen mit Konstantstromantrieb. Die Transistoren MJD41C-QJ und MJD42C-QJ sind nach AEC-Q101 qualifiziert.

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Nexperia BJT- und MJD-Bipolartransistoren bieten eine hohe thermische und elektrische Leistung. Die hochwertige, hochzuverlässige MJD-Bipolartransistor-Produktfamilie mit Automotive-Qualifizierung (AEC-Q101) und Verbraucher-/Industrie-Qualifizierung mit einer Leistung von 2 A bis 8 A umfasst siebzehn Bauteile in NPN- und PNP-Ausführungen von 45 V bis 100 V. Diese bekannten Bauelemente im Industriestandard-Footprint ergänzen das bestehende Portfolio an Hochleistungs-Bipolartransistoren in LFPAK-Gehäusen von Nexperia und erweitern das Gesamtangebot an diskreten Bipolartransistoren des Unternehmens weiter.’’ Zu den Applikationen gehören LED-Automotivebeleuchtung, Dimmen der Hintergrundbeleuchtung in LCD-Displays, Linear- Spannungsregler, Relaisersatz, Motorantriebe, Laserdrucker und MOSFET-Treiber.