MR2A08AMYS35

Everspin Technologies
936-MR2A08AMYS35
MR2A08AMYS35

Herst.:

Beschreibung:
MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

Datenblatt:
ECAD Model:
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Everspin Technologies
Produktkategorie: MRAM
RoHS:  
TSOP-II-44
Parallel
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
30 mA, 90 mA
- 40 C
+ 125 C
MR2A08A
Tray
Marke: Everspin Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Pd - Verlustleistung: 600 mW
Produkt-Typ: MRAM
Verpackung ab Werk: 135
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Handelsname: Parallel I/O (x8)
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

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