MR4A08BCMA35

Everspin Technologies
936-MR4A08BCMA35
MR4A08BCMA35

Herst.:

Beschreibung:
MRAM 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM

Datenblatt:
ECAD Model:
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Everspin Technologies
Produktkategorie: MRAM
RoHS:  
BGA-48
Parallel
16 Mbit
2 M x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
60 mA, 152 mA
- 40 C
+ 85 C
MR4A08B
Tray
Marke: Everspin Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Pd - Verlustleistung: 600 mW
Produkt-Typ: MRAM
Verpackung ab Werk: 240
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Handelsname: Parallel I/O (x8)
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
854232031
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

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