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MSC080SMB120B4N

Name: Microchip MSC080SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMB120B4N
Price: 5.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-MSC080SMB120B4N

Herst.- Nr.:

MSC080SMB120B4N

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MSC080SMB120B4N Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	107 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	161 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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ECCN:: EAR99

1200 V SIC-MOSFETs

Die 1200 V SIC-MOSFETs von Microchip Technology bieten einen hohen Wirkungsgrad in einer leichteren, kompakteren Lösung. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen internen Gate-Widerstand (ESR), der eine schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht. Die MOSFETs sind einfach anzusteuern und problemlos parallel zu schalten, mit verbesserten thermischen Eigenschaften und geringeren Schaltverlusten.